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第三代半導(dǎo)體開(kāi)辟“雙碳”新賽道

綠色低碳發(fā)展、萬(wàn)物智能互聯(lián)

應(yīng)用

Application

氮化鎵電源方案
氮化鎵具有較寬的禁帶寬度（3.4eV），以藍(lán)寶石等材料為襯底，具有良好的散熱性能、高效率、體積小、重量輕，有利于器件在高功率條件下的工作。
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新能源解決方案
在相同的電壓和轉(zhuǎn)換頻率下，400V電壓時(shí)，碳化硅MOSFET逆變器的能量損失約為硅基IGBT能量損失的29%-60%之間； 800V時(shí)，碳化硅MOSFET逆變器的能量損失約為硅基IGBT能量損失的30%-50%之間
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IGBT解決方案
IGBT的作用是交流電和直流電的轉(zhuǎn)換，同時(shí)IGBT還承擔(dān)電壓的高低轉(zhuǎn)換功能，需要通過(guò)IGBT轉(zhuǎn)變成直流電，起到對(duì)交流電機(jī)的變頻控制
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  • 氮化鎵電源方案
    氮化鎵具有較寬的禁帶寬度（3.4eV），以藍(lán)寶石等材料為襯底，具有良好的散熱性能、高效率、體積小、重量輕，有利于器件在高功率條件下的工作。
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    在相同的電壓和轉(zhuǎn)換頻率下，400V電壓時(shí)，碳化硅MOSFET逆變器的能量損失約為硅基IGBT能量損失的29%-60%之間； 800V時(shí)，碳化硅MOSFET逆變器的能量損失約為硅基IGBT能量損失的30%-50%之間
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榮譽(yù)

honor

實(shí)驗(yàn)設(shè)備
卓越創(chuàng)新
高效工作
榮譽(yù)證書(shū)
堅(jiān)守初心
砥礪前行
合作品牌
精誠(chéng)合作
共創(chuàng)輝煌
  • 實(shí)驗(yàn)設(shè)備
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