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碳化硅襯底材料能量損失更小。在相同的電壓和轉(zhuǎn)換頻率下，400V電壓時(shí)，碳化硅MOSFET逆變器的能量損失約為硅基IGBT能量損失的29%-60%之間；

800V時(shí)，碳化硅MOSFET逆變器的能量損失約為硅基IGBT能量損失的30%-50%之間。

碳化硅器件在具體應(yīng)用場(chǎng)景中表現(xiàn)出的特性是：

耐高溫:硅基材料120°C場(chǎng)景需要散熱，使用SiC在175°C結(jié)溫不需要散熱，可承受600°C以上高溫環(huán)境。

SiC MOSFET或SiC MOSFET+SiCSBD模組的光伏逆變器能將轉(zhuǎn)換效率由96%提升至99%以上，能量損耗可降低50%以上，設(shè)備循環(huán)壽命提升50倍。

對(duì)于100kW的太陽(yáng)能逆變器，其平均需要30-50顆SiC器件。二極管與三極管比例在4:1與5:1之間。據(jù)CASA預(yù)測(cè)，2025年光伏逆變器中SiC器件價(jià)值

占比將增長(zhǎng)至50%。