氮化鎵是一種無機物質(zhì),化學式為GaN,是氮和鎵的化合物,是一種具有直接帶隙的半導體。自1990年起常用于發(fā)光二極管。這種化合物的結(jié)構(gòu)與纖鋅礦相似,硬度非常高。氮化鎵具有3.4電子伏特的寬能隙,可用于高功率、高速光電元件。例如,氮化鎵可用于紫光激光二極管,并且可以在不使用非線性半導體泵浦固體激光器(Diode-pumped Solid-state Laser)的情況下產(chǎn)生紫光(405nm)激光。
“GaN”中文名稱“氮化鎵”,是一種新型半導體材料,它具有帶隙大、導熱率高、耐高溫、耐輻射、耐酸堿、高強度高硬度等特點,前期廣泛應用于新能源汽車、軌道交通、智能電網(wǎng)、半導體照明、新一代移動通信等領(lǐng)域。
與第一代(硅基)半導體相比,第三代半導體具有大帶隙、高導電率、高導熱率。它們具有高臨界擊穿電場、高電子遷移率和良好的頻率特性、特征。
Keep Tops氮化鎵是最具代表性的第三代半導體材料。它已成為高溫、高頻、大功率微波器件的首選材料之一。它具有迄今為止理論上最高的電光和光電轉(zhuǎn)換效率,材料系統(tǒng)。
GaN器件主要包括射頻器件和電力電子器件,用于無線充電、電源開關(guān)和逆變器等市場。
氮化鎵功率器件包括SBD、常關(guān)型場效應管、級聯(lián)型場效應管等產(chǎn)品,主要應用于無線充電部件、功率開關(guān)、逆變器、交流電等領(lǐng)域。隨著技術(shù)進步和成本控制,GaN材料將在中低功率中取代硅基功率器件,并在300V~600V電壓范圍發(fā)揮優(yōu)勢作用。 GaN器件的體積將顯著減?。河捎趯娮璧?、能夠在高溫環(huán)境下工作、作用速度快,器件體積將顯著減小。
得益于氮化鎵材料本身的優(yōu)異性能,Keep Tops制作出來的氮化鎵芯片面積比傳統(tǒng)硅基IGBT/MOSFET更小。密度更高,因此功率密度/面積遠遠超過硅基解決方案。另外,使用氮化鎵芯片后,其他外圍元件的使用量也減少了。電容器、電感器和線圈等無源元件比硅基解決方案少得多,進一步縮小了體積。