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氮化鎵芯片在電源領(lǐng)域迅速扎根
[ 來源:本站   時間:2023-10-24  閱讀:2972次 ]

    GaNKT65C1R200D具有高帶隙、高飽和電子遷移速度、高熱導(dǎo)率等特點(diǎn)。因此,GaNSi更適合于大功率和高頻功率器件。具有體積小、散熱容易、損耗低、功率大等優(yōu)點(diǎn)。GaN充電器的主要成本來自氮化鎵,MOS功率芯片。昂貴的原材料導(dǎo)致消費(fèi)級GaN充電器價格居高不下,但GaN充電器是實(shí)現(xiàn)快充突破的關(guān)鍵,未來將成為各大手機(jī)廠商的優(yōu)先選擇。

 

    GaN,這是小型快速充電電源適配器的關(guān)鍵。著功率的增加,充電器的重量和體積也會相應(yīng)增加,大大降低了充電器的便攜性。如何將充電裝置小型化,并保證小型充電器具有更好的散熱性能,成為業(yè)界關(guān)注的問題。

 

    Keep Tops氮化鎵KT65C1R120D具有開關(guān)頻率高、禁斷寬度大、導(dǎo)通電阻小的特點(diǎn)。開關(guān)頻率是指充電頭內(nèi)的電子元器件(如晶閘管和晶閘管)每秒完全打開和關(guān)閉的次數(shù)。變壓器恰好是充電器中體積最大的組件之一,占據(jù)了相當(dāng)多的內(nèi)部空間。高開關(guān)頻率允許使用更小的變壓器。使用氮化鎵作為變壓器組件,減小了變壓器和電容器的尺寸,有助于減小充電頭的尺寸和重量。


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    帶隙直接決定電子器件的耐壓和最高工作溫度。帶隙越大,器件攜帶的電壓和溫度越高,擊穿電壓越高,功率越高。較低的導(dǎo)通電阻直接反映在傳導(dǎo)過程中產(chǎn)生的熱量上。導(dǎo)通電阻越低,發(fā)熱量越低。

 

    氮化鎵功率器件高頻、低損耗的優(yōu)勢,提高了充電效率,減少了發(fā)熱,有效縮短了充電時間,并進(jìn)一步減小了適配器的體積和重量,使其更便于攜帶。雖然氮化鎵充電器具有結(jié)構(gòu)緊湊、效率高、發(fā)熱量低的優(yōu)點(diǎn),但由于技術(shù)和成品率問題,氮化鎵快速充電器的價格相對較高。在USBPD快充協(xié)議持續(xù)推廣的環(huán)境下,Keep Tops品牌的GaN技術(shù)不斷成熟,效率高、體積小、散熱低、便攜性好的快充適配器將迅速普及,解決5G時代手機(jī)續(xù)航問題。



    氮化鎵工藝

    氮化鎵技術(shù)最早可以追溯到上世紀(jì)70年代,當(dāng)時美國無線電公司(RCA)開發(fā)了氮化鎵工藝來制造LED。今天市場上銷售的許多LED在藍(lán)寶石襯底上使用氮化鎵技術(shù)。除了LED,氮化鎵還用于功率半導(dǎo)體和射頻器件。基于GaN的電源芯片在市場上站穩(wěn)了腳跟。


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    GaN技術(shù)具有以下優(yōu)點(diǎn)

    高擊穿場強(qiáng):由于GaNKT65C1R070D的大禁帶寬度,GaN材料具有高擊穿場強(qiáng),這使得GaN器件能夠在比其他半導(dǎo)體器件高得多的電壓下工作。當(dāng)受到足夠高的電場時,半導(dǎo)體中的電子可以獲得足夠的動能來打破化學(xué)鍵(這個過程稱為碰撞電離或電壓擊穿)。如果不控制碰撞電離,將降低裝置的性能。由于GaN器件可以在更高的電壓下工作,它們可以用于更高功率的應(yīng)用。

高飽和速度:GaN上的電子具有很高的飽和速度(電子在非常高的電場下的速度)。再加上強(qiáng)大的充電能力,這意味著GaN器件可以提供更高的電流密度。射頻功率輸出是電壓和電流擺動的產(chǎn)物,因此更高的電壓和電流密度可以在實(shí)際尺寸的晶體管中產(chǎn)生更高的射頻功率。簡而言之,GaN器件可以產(chǎn)生更高的功率密度。

 

 

    優(yōu)異的熱性能:

    GaN-on-SiC器件具有優(yōu)異的熱性能,主要是由于SiC的高導(dǎo)熱性。實(shí)際上,這意味著在消耗相同功率的情況下,GaN-on-SiC器件不會像GaAsSi器件那樣發(fā)熱?!拜^冷的”裝置意味著更可靠的裝置。

 

    GaN器件的功率密度是砷化鎵(GaAs)器件的十倍。更高的功率密度使GaN器件能夠提供更寬的帶寬,更高的放大器增益和更高的效率。

 

    GaN場效應(yīng)晶體管(FET)器件可以在比同類GaAs器件高5倍的電壓下工作。由于GaN FET器件可以工作在更高的電壓下,設(shè)計人員可以更容易地在窄帶放大器設(shè)計上實(shí)現(xiàn)阻抗匹配。阻抗匹配(英語:Impedance matching)是一種設(shè)計電氣負(fù)載輸入阻抗的方法,其目的是使功率從設(shè)備傳輸?shù)截?fù)載的能力最大化。

 

    GaN FET器件可以吸收兩倍于GaAsFET器件的電流。由于GaN FET器件可以提供兩倍于GaAs FET器件的電流,因此GaN FET器件具有更高的帶寬能力。

 

    大多數(shù)半導(dǎo)體器件對溫度變化非常敏感。為了保證可靠性,必須將半導(dǎo)體的溫度變化控制在一定范圍內(nèi)。熱管理對于射頻系統(tǒng)尤其重要,因?yàn)樯漕l系統(tǒng)具有相對較高的能量損耗,并且會導(dǎo)致嚴(yán)重的散熱問題。GaN在保持低溫方面有其獨(dú)特的優(yōu)勢。此外,即使在較高的溫度下,其性能也比硅受到的影響要小。例如,100萬小時MTTF的中位故障時間表明GaN可以在比GaAs50攝氏度的溫度下工作。

 

    Keep Tops氮化鎵具有廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域和廣闊的市場前景。GaN電力電子市場規(guī)模將在2023年達(dá)到4.24億美元。該機(jī)構(gòu)認(rèn)為,未來GaN器件將在射頻領(lǐng)域和功率領(lǐng)域迎來更大的增長。華西證券指出,在隨后的手機(jī)品牌發(fā)布會上,廣受消費(fèi)者關(guān)注的GaN充電器將繼續(xù)出現(xiàn)在舞臺上。隨著GaN在消費(fèi)電子行業(yè)的普及,GaN芯片的設(shè)計和制造成本將迅速下降,進(jìn)一步刺激市場。應(yīng)用大受歡迎。

 

    5G時代,GaN材料適用于基站。在宏基站應(yīng)用中,GaN材料由于具有高頻、高輸出功率的優(yōu)勢,正逐漸取代Si LDMOS。在微型基站中,GaAsPA組件由于其目前市場證明的可靠性和成本效益優(yōu)勢,在未來一段時間內(nèi)仍將占據(jù)主導(dǎo)地位。但隨著器件成本的降低和工藝的提高,GaNPA有望在微型基站中得到應(yīng)用。分一杯羹。在移動終端中,由于成本高、電源電壓高,GaN PA短期內(nèi)將無法撼動GaAs PA的霸主地位。

  


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