KT65C1R200D采用8 x 8 DFN封裝、650V、200 mΩ氮化鎵FET。它是一款常關(guān)器件,將最新的高壓氮化鎵 HEMT與低壓硅 MOSFET相結(jié)合,提供卓越的可靠性和性能。KT65C1R200D
經(jīng)JEDEC認(rèn)證,先進(jìn)的動態(tài)RDSon測試,具有寬柵極安全裕度、低反向恢復(fù)的特性。符合RoHS、REACH、無鹵標(biāo)準(zhǔn)。提高硬開關(guān)和軟開關(guān)電路的效率(增加功率密度、減小系統(tǒng)尺寸和重量、整體系統(tǒng)成本較低),也兼容傳統(tǒng)Si驅(qū)動器。
D-Mode氮化鎵二維電子氣濃度高,方阻低,共源共柵閾值電壓為3V, VGS耐壓在±20V,之間,動態(tài)電阻小于1.1,驅(qū)動更簡單
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