IGBT憑借著高功率密度、驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單以及寬安全工作區(qū)等特點(diǎn),成為了中大功率、中低頻率 電力電子設(shè)備的首選。在工作頻率低于105H2的范圍內(nèi),硅基IGBT是首選的功率半導(dǎo)體器件,其功率范圍涵蓋幾千瓦至十兆瓦,典型的應(yīng)用領(lǐng)域包括工業(yè)控制(變頻器、逆變焊機(jī)、不間斷電源等):新能源汽車(主電驅(qū)、OBC、空調(diào)、轉(zhuǎn)向等),新能源發(fā)電(光伏逆變器、風(fēng)電變流器);變頻白電 (IPM) ;軌道交通 (牽引變流器) ;智能電網(wǎng)等。
ID
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型號(hào)(IGBT)
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附件下載
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最大漏極電壓
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最大漏極電流
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導(dǎo)通內(nèi)阻
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封裝
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柵極總電荷
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反向恢復(fù)電荷
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LEGM50BE120L5H 詳情 |
Internal Circuit
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LEGM40BF120L4H 詳情 |
Internal Circuit
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LEGM35BE120L4H 詳情 |
Internal Circuit
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LEGM25BE120E2H 詳情 |
Internal Circuit
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LEGM15BE120E1H 詳情 |
Internal Circuit
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LEGM10BE120E1H 詳情 |
Internal Circuit
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詢價(jià)