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氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導體材料。 當用于電源時，GaN 比傳統(tǒng)硅具有更高的效率、更小的尺寸和更輕的重量。 傳統(tǒng)硅晶體管有兩種類型的損耗：傳導損耗和開關損耗。 功率晶體管是開關電源中功率損耗的主要原因。 為了遏制這些損失，GaN 晶體管（取代舊的硅技術）的開發(fā)已引起電力電子行業(yè)的關注。
與硅芯片相比：
1、氮化鎵芯片的功率損耗是硅基芯片的四分之一
2、尺寸為硅芯片的四分之一
3、重量是硅基芯片的四分之一
4、并且比硅基解決方案更便宜
然而，雖然 GaN 似乎是一個更好的選擇，但它在一段時間內不會在所有應用中取代硅。 原因如下：
第一個需要克服的障礙是 GaN 晶體管的耗盡特性。 有源功率和邏輯電路需要常開和常關類型的晶體管。 雖然可以生產常關型 GaN 晶體管，但它們要么依賴于典型的硅 MOSFET，要么需要特殊的附加層，這使得它們難以縮小。 無法生產與當前硅晶體管相同規(guī)模的 GaN 晶體管，也意味著它們不適用于 CPU 和其他微控制器。
GaN 晶體管的第二個問題是，制造增強型 GaN 晶體管的唯一已知方法（在撰寫本文時）是使用松下專利方法使用附加的 AlGaN 層。 這意味著涉及這種晶體管類型的任何創(chuàng)新都將依賴于松下，直到研究出其他方法為止。
GaN 器件的研究工作自 2000 年代初就已開始，但 GaN 晶體管仍處于起步階段。 毫無疑問，它們將在未來十年內取代功率應用中的硅晶體管，但距離用于數(shù)據(jù)處理應用還很遠。
Keep Tops氮化鎵有什么好處？
氮化鎵的出現(xiàn)降低了產品成本。 搭載GaN的充電器具有元件數(shù)量少、調試方便、高頻工作實現(xiàn)高轉換效率等優(yōu)點，可以簡化設計，降低GaN快充的開發(fā)難度，有助于實現(xiàn)小體積、高效氮化鎵快充設計。 Keep Tops氮化鎵內置多種功能，可以大大降低產品的設計復雜度，減少冗余器件的使用。 提高了空間利用率，降低了生產難度，也有助于降低成本、加快出貨速度。
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