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相對于第一代（硅基）半導(dǎo)體，第三代半導(dǎo)體禁帶寬度大，電導(dǎo)率高、熱導(dǎo)率高。第三代半導(dǎo)體的禁帶寬度是第一代和第二代半導(dǎo)體禁帶寬度的近3倍，具有更強(qiáng)的耐高壓、高功率能力。

碳化硅器件在具體應(yīng)用場景中表現(xiàn)出的特性是:耐高溫:硅基材料120°C場景需要散熱，使用SiC在175°C結(jié)溫不需要散熱，可承受600°C以上高溫環(huán)境。

碳化硅功率器件在高功率高壓領(lǐng)域有廣泛的潛在應(yīng)用，目前在600-1700V的光伏逆變、工業(yè)電源、新能源汽車、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域已得到廣泛應(yīng)用。