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 0755-27597068
碳化硅SDS120J030G3

相對(duì)于第一代(硅基)半導(dǎo)體,第三代半導(dǎo)體禁帶寬度大,電導(dǎo)率高、熱導(dǎo)率高。第三代半導(dǎo)體的禁帶寬度是第一代和第二代半導(dǎo)體禁帶寬度的近3倍,具有更強(qiáng)的耐高壓、高功率能力。

碳化硅器件在具體應(yīng)用場(chǎng)景中表現(xiàn)出的特性是:1、耐高溫:硅基材料120°C場(chǎng)景需要散熱,使用SiC在175°C結(jié)溫不需要散熱,可承受600°C以上高溫環(huán)境。

碳化硅功率器件在高功率高壓領(lǐng)域有廣泛的潛在應(yīng)用,目前在600-1700V的光伏逆變、工業(yè)電源、新能源汽車、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域已得到廣泛應(yīng)用。


ID
型號(hào)(碳化硅)
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最大漏極電壓
最大漏極電流
導(dǎo)通內(nèi)阻
封裝
柵極總電荷
反向恢復(fù)電荷
652564282113785856

SDS120J030G3

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TO-247-3L
652564282113785856

SDS120J020G3

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